産業技術総合研究所 半導体の微細化に役立つ新技術を開発 (2011/06/14)
産業技術総合研究所は、このたび、半導体の微細化に役立つ新技術を開発したと発表しました。
極微細MOSトランジスタでは、ソース・ドレイン接合領域の寄生抵抗が顕在化するため、精度よくソース・ドレイン接合を形成できる技術を開発することが課題となっていました。
この度、NiSi2結晶成長の性質を利用した金属ソース・ドレイン接合の位置制御技術により、ナノメートルレベルで制御可能となりました。今後、16nm世代以降の半導体開発に役立つものと期待されています。
プレスリリース