理化学研究所 乾式接触法を用いて単層カーボンナノチューブの量子ドットの規則的配列を発見 (2009/07/15)
理化学研究所は乾式接触法を活用することで、炭層カーボンナノチューブ（SWCNT）の量子ドットが6.42nmの間隔で規則正しく配列されることを発見しました。
SWCNTは、高い熱伝導率とnmオーダーと極めて微細な構造の為、リソグラフィー技術で限界に達している微細化した半導体デバイスの、シリコン系材料に代わる次世代の半導体デバイス用素材として、期待されています。
SWCNTを半導体デバイス素材として用いるには、SWCNTを電極に接合し、電子状態を原子レベルで理解することが欠かせません。従来の溶媒を用いた方法では、さまざまな問題があり、電子状態を調べることができませんでしたが、このたびの研究では、溶媒を用いない「乾式接触法」と呼ばれる方法で、SWCNTを銀の電極に直接接合させ、電子状態を調べました。
その結果、SWCNTの量子ドットの規則的配列を発見することができました。今後の半導体デバイス開発などの応用へ期待がかかります。
この研究結果は、NATURE NANOTECHNOLOGYオンライン版に掲載されています。